Основы туннельно-зондовой нанотехнологии

От издательства:Прогресс в микроэлектронике связывают с уменьшением линейных размеров функциональных элементов. Если размеры этих элементов достигают порядка нанометра, то существенными становятся квантовые эффекты, принципиально меняющие физику явлений, лежащих в основе работы приборов. Создание таких элементов и интегральных квантовых схем на их основе является предметом нанотехнологии.В пособии изложены физические основы туннельно-зондовой нанотехнологии на базе сканирующих туннельных микроскопов, показаны основные достижения, обсуждаются проблемы, требующие решения.